森 雅之 (モリ マサユキ)

MORI Masayuki

写真a

職名

准教授

生年

1969年06月

研究分野・キーワード

半導体薄膜, 結晶成長

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 1998年03月 -  博士(工学)  富山大学

  • 1995年03月 -  修士(工学)  富山大学

  • 1993年03月 -  学士(工学)  富山大学

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2010年08月
    -
    継続中

    富山大学   大学院理工学研究部   ナノ・新機能材料学域   ナノマテリアル・システムデザイン学系   准教授  

  • 2010年08月
    -
    継続中

    富山大学   工学部   電気電子システム工学科   准教授  

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 電子デバイス・電子機器

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性

    中野純、柴田知明、森田弘樹、坂本宙、森雅之、前澤宏一

    電子情報通信学会論文誌C   J97-C ( 3 ) 124 - 125   2014年03月

    共著

  • Possibility of THz detection with resonant tunneling super regenerative detectors  based on extremely high order harmonics

    Koichi Maezawa, Jie Pan, Dongpo Wu, Yuichiro Kakutani, Jun Nakano, Masayuki Mori

    IEICE Electronics Express   10 ( 20 ) 20130676   2013年10月

    共著

  • Fluidic Self-Assembly Using Molten Ga Bumps and Its Application to Resonant Tunneling Diodes

    Jun Nakano, Tomoaki Shibata, Hiroki Morita, Hiroshi Sakamoto, Masayuki Mori, and Koichi Maezawa

    Japanese Journal of Applied Physics   52   116501-1 - 116501-5   2013年10月

    共著

  • Optical and structural characterization of CdSe and CdTe layers and fabrication  of a CdTe/CdSe structure

    S. Alam, M.A.K. Pathan, K.A.M.H. Siddiquee, A.B.M.O. Islam, M.A. Gafur, D.K. Saha,   M. Mori, T. Tambo

    OPTIK   124 ( 15 ) 2165 - 2170   2013年08月

    共著

  • 周波数ΔΣ変調方式を用いたデジタルマイクロフォンのノイズシェーピング実証

    藤野舜也,水野雄太,高岡和央,中野純,森雅之,前澤宏一

    電子情報通信学会論文誌   J96-C ( 12 ) 554 - 555   2012年12月

    共著

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学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 平成25年度(第18回)電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティレター論文賞

    2014年09月23日   電子情報通信学会  

    受賞者:  中野純、 柴田知明、森田弘樹、坂本宙、 森 雅之、 前澤 宏一

  • 第2回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム ポスターアワード

    2014年07月10日   応用物理学会北陸・信越支部  

    受賞者:  下山裕哉、森雅之、前澤宏一

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 表面再構成制御成長法を用いたSi基板上InSb-CMOSの研究

    基盤研究(B)

    研究期間:  2013年04月  -  2017年03月 

     

  • 表面再構成制御成長法を用いたSi上InSb系超高速・超低消費電力デバイスの作製

    基盤研究(C)

    研究期間:  2010年04月  -  2013年03月 

    我々はこれまで、Si(111)表面上のIn誘起表面再構成構造に1原子層程度のSbを吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して高品質なInSb薄膜をエピタキシャル成長させる、表面再構成制御成長法を提案してきた。
     今年度は、Si基板上InSb薄膜の更なる高移動度化のため、InSb単分子層形成時のIn吸着量及び二段階成長のうち1層目の成長条件に着目し最適化を試みた。初期のIn吸着量、1層目の基板温度、蒸着量、蒸着レートを様々な条件で変化させて試料を作製し評価した結果、初期のIn吸着量を1.5MLに、また、これまでよりも基板温度を高く、蒸着量を少なく、蒸着レートを遅くすることで蒸着条件を最適化できた。この結果、膜厚1mの試料において室温の電子移動度がこれまでの最高24,000cm2/Vsから39,600 cm2/Vsにまで大きく向上した。
    得られたInSb薄膜の成長方向における移動度分布を調査するため、クエン酸系の溶液による一定膜厚のエッチングと測定を繰り返した。これにより、計算によってエッチングされた部分の移動度が得られる。その結果、移動度の向上が、界面付近の低移動度層の減少に起因し、薄膜表面付近の移動度が61,000 cm2/Vsに達することが分かった。
     Si基板上におけるInSbを用いたFET実現に向け、InSb-MOSダイオードの試作とC-V特性の評価を行った。得られた高移動度InSb薄膜上に、絶縁層として界面準位の少ない薄膜成長が期待できる原子層成長(ALD)法を用いて、基板温度250℃で厚さ30nmのAl2O3薄膜を堆積させた。今回はノンアロイオーミック電極を用いたが、界面準位が多く、またInSbのバンドギャップが狭いため、キャリアの生成-再結合速度が速く、0V付近の容量の変化量が予想される値よりも小さく(予想では40%だが10%程度)、また正孔の注入が逆バイアス印加時に起こるため、高周波特性においても逆バイアス印加時に容量の増加が見られた。しかし、これらの結果より特性としては不十分ではあるものの、ゲート電圧によりフェルミレベルを伝導帯から価電子帯まで制御できていることが分かった。

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 2016年10月
    -
    2017年03月

    半導体薄膜工学特論  (2016年度)  専任

  • 2016年10月
    -
    2017年03月

    電子物性工学1  (2016年度)  専任

  • 2016年10月
    -
    2017年03月

    電磁気学演習1  (2016年度)  専任

  • 2016年04月
    -
    2017年03月

    電気電子実験2  (2016年度)  兼担・兼任

  • 2016年04月
    -
    2017年03月

    電気電子実験1  (2016年度)  兼担・兼任

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学会・委員会等活動 【 表示 / 非表示

  • 2014年04月
    -
    継続中

    応用物理学会   北陸・信越支部富山地区幹事